أعلنت الشركة اليابانية توشيبا الأربعاء الماضي عن عزمها الانطلاق في مجال إنتاج الذاكرة الوميضية 3D من أجل تحسين قدرة التخزين في الأقراص الصلبة، لكن يبدو أن اليابانيين ليسوا وحدهم حيث أعلنت شركتي إنتل و Micron Technology بدورهما عزمهما القيام بنفس الخطوة.
تكنولوجيا الذاكرة الوميضية 3D و على عكس الذاكرة الوميضية الكلاسيكية تمكن من رص طبقات الذاكرة واحدة تلو الأخرى مما يسمح بالرفع من كثافة خلايا الذاكرة في مساحة أقل حجما و بالتالي الرفع من قدرة التخزين على الأقراص الصلبة و هو الأمر الذي لطالما شغل بال المختصين، و قد كشفت إنتل و Micron Technology أن بطاقات الذاكرة الوميضية 3D التي ستنتجانها ستمكنان من الحصول على أقراص صلبة بسعة تخزين 10 تيرابايت بالنسبة لنماذج 2.5 بوصة.
و تعمل الشركة اليابانية على هذه التقنية الجديدة منذ سنوات طويلة، كما أن الشركة الكورية الجنوبية سامسونغ طرحت فعلا هذا النوع من الذاكرة الوميضية في وقت سابق للعموم، و تعد هذه التكنولوجيا جد واعدة خصوصا أن استعمالها سينتقل لأجهزة أخرى كالهواتف الذكية و الحواسيب اللوحية و غيرها.
